為什么真空plasma也可以稱之為蝕刻處理——等離子刻蝕機：
       plasma與物件表面的反應可分為物理濺射和化學變化。物理濺射原理是高能活力微粒濺射物件表面，使臟污從表面剝離，最后被真空泵抽走；化學變化機理就是各種特異性微粒和污染物質反應形成揮發性物質，然后揮發性物質被真空泵抽走。半導體材料光學材料涂層，硬化前清洗，LCD玻璃印刷、貼合、包裝前清洗、LED點銀膠，引線鍵合，封膠前清洗，可提高產品質量，PCB電路板孔化、除渣、綁定處理，可以提高鍍銅結合性和焊接成功率。提高材料的粘接強度和印刷油墨、涂層和涂層的附著力。無紡布隔膜、空心纖維和各種天然纖維用于水處理。等離子刻蝕機對合成纖維的處理可以提高其滲透性、親水性、印染性等功能。去除繼電器接觸氧化層，清潔精密零件表面的油污、助焊劑等有機物。

      以物理反應為主的等離子刻蝕機清洗，又稱濺射腐蝕（SPE）或離子銑（IM），其優點是不發生化學變化，清潔表面不留下氧化物，能保持清潔物的化學純度，腐蝕異性；缺點是對表面損傷大，熱效應大，清潔表面各種物質選擇性差，腐蝕速度低。等離子刻蝕機清洗的優點是清洗速度高.選擇性好.去除有機污染物更有效，缺點是表面形成氧化物。與物理反應相比，化學變化的缺點并不容易克服。
       而且兩種反應機制對表面微觀形態的影響明顯不同，物理反應可以使表面在分子級范圍內變得更加不同“粗糙”，從而改變表面的粘結特性。另一種等離子刻蝕機清洗是物理反應和化學變化在表面反應體制中發揮重要作用，即反應離子腐蝕或反應離子束腐蝕，兩種清洗可以相互促進，離子轟擊使清洗表面損傷削弱其化學鍵或形成原子態，容易吸收反應劑，離子碰撞加熱清洗材料，更容易產生反應；其效果是更好的選擇性.清洗率.均勻性，方向性好。
       典型的等離子刻蝕機物理清洗工藝是Ar等離子體清洗。AR惰性氣體和等離子體本身AR它不會與表面發生反應，而是通過離子轟擊來清潔表面。典型的等離子體化學清洗工藝是O2.清潔氣體等離子體。等離子體產生的氧自由基非常活躍，容易與碳氫化合物發生反應。CO2.CO和HO2.從而去除表面污染物。